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关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是()A．突触前轴突末梢超极化B．突触后膜对Ca、K的通透性增大C．突触后膜去极化D．突触后膜电位负值增...

作者: rantiku 人气: - 评论: 0

问题关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是()

选项 A．突触前轴突末梢超极化 B．突触后膜对Ca、K的通透性增大 C．突触后膜去极化 D．突触后膜电位负值增大，出现超极化 E．突触后膜对K、Na，尤其是K的通透性增大

答案 D

解析

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